알에프세미, 캐나다 업체와 GaN 전력반도체 '맞손'

[이데일리 강경래 기자] 알에프세미(096610)가 캐나다 갠시스템스(GaN Systems)와 ‘GaN’(질화갈륨) 전력반도체 제품 개발과 시장 확대를 위한 업무협약을 체결했다고 5일 밝혔다.

알에프세미 회사 전경

갠시스템스는 650V급 GaN 전력반도체 기술을 보유한 이 분야 전 세계 선두기업이다. 알에프세미는 전략반도체 패키지를 위해 최근 특허 등록한 ‘가변 적층형 방열판 패키지’ 기술을 제품 개발에 적용할 예정이다. 이 기술은 기존 패키지와 비교해 열 방출이 뛰어나 고온에서도 안정적인 동작을 지원한다.

알에프세미 측은 “이번 협약은 알에프세미 패키지 기술과 갠시스템스 GaN 소자 기술 협력을 통한 제품 개발과 세계 시장 확대를 위한 것”이라고 설명했다.

차세대 전력반도체로 주목받는 GaN 전력반도체는 실리콘에 질화갈륨을 입혀 ‘SiC’(실리콘카바이드) 전력반도체와 비교해 가격 경쟁력을 갖고 있다. 사용 전압이 낮은 반면, 고속 스위칭이 가능해 휴대폰, 노트북, 전원장치, 충전기 등 소형 가전에 주로 사용된다.

최근에는 전기차 전원장치, 자율주행용 라이다 센서 등으로 적용이 확대된다. 이진효 알에프세미 대표는 “차세대 전력반도체인 SiC 전력반도체 파운드리(위탁생산)에 이어 GaN 전력반도체 개발을 기반으로 한 복합모듈 제품을 만들 것”이라며 “GaN 전력반도체가 회사 실적 성장에 기여하게 될 것”이라고 말했다.

한편 시장조사업체 욜디벨롭먼트는 GaN 전력반도체 시장은 지난해 7800만달러에서 오는 2026년까지 연평균 70% 성장해 11억달러를 기록할 것으로 전망했다.