반도체 전문기업 엠디바이스는 HBM 제조 방법에 대한 특허결정을 받았다고 1일 밝혔다. 이번 기술은 유전체가 형성된 코어 다이를 베이스 웨이퍼에 먼저 본딩한 뒤 코어 다이에 실리콘관통전극(TSV)을 형성해 하부 적층 구조체와 전기적으로 연결하는 방식이다.
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회사 측은 이를 통해 금속 패드의 ‘Cu Dishing’ 공정 부담을 줄이고 사전 금속 패드 형성 과정에서 발생할 수 있는 산화막 침식(Oxide Erosion), 고온 어닐링에 따른 웨이퍼 휨(Warpage), Dishing 깊이와 균일도 편차에 따른 균열(Crack)·접합부(Seam) 등 불량 문제를 개선할 수 있다고 설명했다.
HBM은 AI 가속기, GPU, HPC, 데이터센터 등 고성능 연산 시스템의 핵심 메모리로 활용되는 만큼, 이번 특허를 바탕으로 차세대 HBM 및 첨단 패키징 시장 대응 역량을 점진적으로 확대해 나간다는 방침이다.
엠디바이스는 HBM을 비롯한 첨단 반도체 패키징 기술 개발과 함께 자회사를 통한 드론 사업도 확대하고 있다. 자회사 네패르는 고성능 NXP 마이크로컨트롤러(MCU)를 기반으로 드론 비행제어기(FC)를 개발했으며 인도네시아 방제 드론 시장 진출을 위해 현지 업체와 제품 적용 및 공급 방안을 협의하고 있다. 대만 방산·드론 시장에서도 견적 제출과 사업 협의를 진행 중이다.
실적도 성장세를 보였다. 엠디바이스의 올해 상반기 매출액은 486억원으로 전년 동기 대비 7% 증가했으며, 영업이익은 79억8000만원으로 54% 늘었다.
엠디바이스 관계자는 “이번 특허 기술은 기존 HBM 제조 공정에서 발생할 수 있는 금속 패드 본딩과 웨이퍼 변형 문제를 개선하고, 고적층 구조에서 보다 안정적인 전기적 연결을 구현하기 위한 것”이라며 “앞으로도 HBM 및 첨단 반도체 패키징 분야의 기술 경쟁력을 꾸준히 강화해 나갈 계획”이라고 말했다.





