20일 중국 과창판일보에 따르면 창신메모리는 전일 임시 주주총회에서 생산능력 확보와 시장 수급 전망 등에 대한 입장을 밝혔다. 회사는 현재 허페이와 베이징에 있는 반도체 웨이퍼 공장들이 높은 가동률을 유지하며 운영되고 있고, 주문도 충분히 확보한 상태라고 설명했다. 다양한 제품군과 지속적인 원가구조 개선을 통해 시장 변화에 유연하게 대응할 능력을 갖추고 있다고 강조했다. 현재 거시경제와 산업 환경을 고려할 때 디램 산업의 장기적인 성장에 충분한 자신감을 갖고 있다고도 밝혔다.
특히 인공지능(AI) 연산 수요가 폭발적으로 증가하면서 글로벌 디램 시장이 지속적으로 확대되고 있으며, 2025년부터 2030년까지 업계의 연평균 복합성장률(CAGR)이 38.39%에 달할 것으로 전망했다.
|
창신메모리는 이 같은 호실적이 반도체 업황 개선과 높은 생산설비 가동률 유지, 지속적인 제품 구성 최적화에 따른 것이라고 설명했다.
창신메모리는 이처럼 광범위한 시장 기회에 대응하기 위해 강력한 제품 및 기술 경쟁력을 구축했으며, 이를 바탕으로 시장 수요를 충족하고 있다고 설명했다.
기술 개발 측면에서는 독자적인 연구개발(R&D)과 세대를 뛰어넘는 연구개발인 ‘도약형 R&D’ 전략을 고수하고 있다고 밝혔다.
현재 1세대부터 5세대까지 공정 기술 플랫폼의 제품 세대교체를 완료했으며, 제품군도 구형 모바일 디램인 LPDDR4X에서 DDR5와 DDR5X, 최신 LPDDR6에 이르기까지 전 제품군을 아우르고 있다고 설명했다. 핵심 기술은 이미 세계 선진 수준에 도달했다고 주장했다.
향후 전략적 사업 배치와 핵심 경쟁력에 관해 창신메모리 경영진은 “메모리 제조의 극한 미세화 분야에서 아직 누구도 개척하지 않은 ‘미개척 영역’에 깊이 진입해 혁신적인 공정으로 기존 기술의 병목 현상을 돌파하겠다”고 강조했다.
현재 창신메모리는 혁신적인 ‘4중 자기정렬 패터닝(SAQP)’ 공정을 도입한 상태다. 회사는 5세대 기술 플랫폼의 제조공정이 업계에서 이미 양산 중인 최첨단 공정 플랫폼과 어깨를 나란히 하고 있으며, 메모리 집적도와 소자 성능도 크게 개선됐다고 밝혔다.
핵심 제품인 LPDDR6 메모리 반도체의 데이터 전송속도는 1만2800Mbps에 달하며, 전력 소비량은 LPDDR5X 제품보다 20% 감소했다고 설명했다.
이를 통해 고속 처리와 저전력, 높은 신뢰성을 동시에 구현했으며 스마트 기기와 데이터센터, 자율주행 및 스마트 운전, 스마트 제조 등 AI 시대의 핵심 응용 분야에 폭넓게 적용할 수 있다고 밝혔다. 이와 함께 4F² 등 첨단 D램 아키텍처 분야에서도 핵심적인 진전을 이뤘다고 설명했다.
