R&D 인력 30% 투입한 中 YMTC…낸드 점유율 20% 정조준

[이데일리 송재민 기자] 중국 최대 낸드플래시 제조사인 양쯔메모리테크놀로지(YMTC)가 전체 인력의 30% 이상을 연구개발(R&D)에 투입하며 글로벌 메모리 시장 공략에 속도를 내고 있다. 독자 적층 기술을 앞세워 낸드 시장 점유율을 20%까지 확대하는 동시에 D램 시장 진출도 추진하면서 삼성전자와 SK하이닉스 등 국내 메모리 업체들과의 경쟁이 한층 치열해질 전망이다.

(사진=카운터포인트리서치)

22일 시장조사업체 카운터포인트리서치에 따르면 중국 상하이 과창판(STAR Market) 상장을 추진 중인 YMTC의 R&D 인력은 4796명으로 전체 직원의 30% 이상을 차지한다. 2023년부터 2025년까지 3년간 누적 R&D 투자액은 142억위안(약 2조8000억원)에 달한다. 등록된 발명특허도 5611건을 확보했다.

이 같은 기술 투자는 낸드 시장 점유율 확대로 이어지고 있다. 카운터포인트리서치 집계 기준 YMTC의 올해 2분기 글로벌 낸드 출하량 점유율은 16.5%다. YMTC는 장기적으로 점유율을 20%까지 끌어올린다는 목표를 제시했다. 미국의 대중국 반도체 수출통제에도 불구하고 생산능력과 기술 경쟁력을 확대하며 글로벌 시장에서 입지를 넓히겠다는 구상이다.

YMTC의 경쟁력은 독자 개발한 적층 기술 ‘엑스태킹(Xtacking)’에 기반한다. 메모리 셀 어레이와 주변 로직 회로를 별도의 웨이퍼에 제작한 뒤 결합하는 방식으로, 각각의 공정에 최적화된 기술을 적용할 수 있다. 첨단 노광장비에 대한 접근이 제한된 상황에서도 상대적으로 성숙한 공정을 활용해 고집적 메모리를 구현할 수 있다는 점이 강점으로 꼽힌다.

삼성전자도 지난해 2월 YMTC의 엑스태킹 관련 특허를 라이선스받은 것으로 알려졌다. 카운터포인트리서치는 이를 YMTC의 기술 경쟁력을 보여주는 사례로 평가했다.

YMTC는 엑스태킹 기술을 낸드에서 D램으로 확장하는 작업도 추진하고 있다. 지난해 10월부터 제2공장(Fab 2)에서 월 약 5000장 규모로 2세대 16기가비트(Gb) LPDDR5 D램을 개발·시험 중이다. 데이터 전송속도는 초당 7500메가트랜스퍼(MT/s) 수준으로, 아직 하이케이메탈게이트(HKMG) 공정은 적용하지 않았다.

(사진=카운터포인트리서치)

후속 제품으로는 수직채널트랜지스터(VCT) 기반의 4F² 셀 구조를 적용한 9600MT/s급 LPDDR5 개발을 추진하고 있다. 해당 제품은 제3공장(Fab 3)에서 양산한다는 계획이다. 기존 낸드 사업에서 확보한 웨이퍼 결합 기술을 D램에도 적용해 제품 포트폴리오를 확대하려는 전략으로 풀이된다.

다만 실제 시장 확대까지는 넘어야 할 과제도 적지 않다. YMTC는 2022년 12월 미국 상무부의 거래제한 명단에 포함된 이후 첨단 반도체 장비 확보에 제약을 받고 있다. 미국에서 추진 중인 반도체 수출통제 강화 법안인 ‘매치법(MATCH Act)’도 YMTC를 직접 겨냥하고 있어 노광·식각·증착 장비 확보에 추가적인 부담으로 작용할 수 있다.

D램 사업에서는 신제품의 품질 인증과 양산 수율 확보가 관건이다. YMTC는 D램을 포함한 전체 웨이퍼 생산능력을 월 약 50만장까지 확대한다는 계획이다. 다만 생산능력 확충과 차세대 D램 양산을 위해서는 미국의 수출통제에 따른 장비 조달 문제를 해결해야 하는 만큼 실제 양산 일정과 낸드 시장 점유율 확대 속도는 지켜봐야 할 것으로 보인다.

닐 샤 카운터포인트리서치 리서치 부사장은 “장기적으로 3D D램은 결국 업계가 나아가야 할 방향이 될 것”이라며 “적층 웨이퍼 결합 기술력을 이미 검증받은 YMTC가 이러한 전환에서 유리한 위치에 있다”고 말했다.